太阳能电池CIGS吸收层靶材的制备方法 CN201310154264.8

　
本发明涉及一种CIGS薄膜太阳能电池吸收层，具体说是太阳能电池CIGS吸收层靶材的制备方法，其包括将Cu、In、Ga分别置于一容器的上层加温区的独立空间，按配比要求将Se置于下层加温区；对上、下层加温区分别加温形成对流制备粉末；将粉末加工得到所需的块体靶材的步骤。本发明根据各材料的熔点和沸点的不同，采用不同的加温方式，使Se以气态，Cu、In或Ga以液态的形式形成对流，使四种元素的混合更加充分，不仅进一步增加了Se在合金中分布的均匀度，提高了靶材的致密度，而且减少了反应时间，提高了生产效率；同时，由于本发明是根据材料熔点和沸点的不同采用不同温区加温，可对熔点较低的材料进行较低温度的熔化，而避免了一律采用较高温度对各材料进行熔化，节约了成本。
专利号：201310154264.8
专利申请日：2013.04.28
公开（公告）日：2013.08.21
申请（专利权）人：柳州百韧特先进材料有限公司
发明（设计）人：陈进中;吴伯增;伍祥武;林东东;甘振英;谢元锋;吕宏
国别省市：广西;45