一种硅基异质结电池片金属叠层的制作方法 CN201410100967.7

本发明公开了一种硅基异质结电池片金属叠层的制作方法，包括：提供正面已沉积P-型非晶硅薄膜层，反面已沉积N-型非晶硅薄膜层的硅片；在所述硅片正反两面上沉积导电氧化物层；在所述导电氧化物层上沉积沉积结合层，其中结合层为镍铜合金层；在所述镍铜合金层上覆光阻材料层，通过掩模曝光，显影后形成金属栅线的图案；在所述金属栅线的图案的铜镍合金层上电镀电镀层；刻蚀掉未经电镀层覆盖的光阻材料层、镍铜合金层，形成金属叠层。本发明的目的在于要通过在电镀铜层前先在导电氧化物层上沉积一层镍铜合金层作为过渡结合层，用以增加导电氧化物层与电镀铜层的结合力，并避免电镀铜层在导电氧化物层上的扩散。
专利类型：发明
专利号：201410100967.7
专利申请日：2014.03.19
公开（公告）日：2015.09.23
申请（专利权）人：泉州市博泰半导体科技有限公司;
发明（设计）人：林朝晖; 王树林;
国别省市：福建;35