一种倒装太阳能电池芯片制造方法 CN201410446310.6

本发明涉及一种倒装太阳能电池芯片制造方法，包括以下步骤：形成一倒装太阳能电池外延层和一支撑衬底；在倒装太阳能电池外延层和支撑衬底表面分别蒸镀一键合金属层并进行键合；腐蚀外延层衬底直至露出n型GaAs欧姆接触层；将n型GaAs欧姆接触层表面划分为多个子单元；根据一设定的腐蚀图形，在每一子单元表面分别逐层腐蚀直至露出倒装太阳能电池外延层上的键合金属层；在每一子单元表面分别制作正电极和负电极，其中，负电极包括两个相互平行的主栅和多个副栅；去除每一子单元中多个副栅之间的n型GaAs欧姆接触层；在每一子单元的表面淀积减反射层；腐蚀掉每一子单元中正电极表面和主栅表面的减反射层；将每一子单元分离，得到多个倒装太阳能电池芯片。
专利类型：发明
专利号：201410446310.6
专利申请日：2014.09.03
公开（公告）日：2016.03.09
申请（专利权）人：新疆中兴能源有限公司;
发明（设计）人：武智平;
国别省市：新疆;65