太阳能电池表面钝化层结构及其制备方法 CN201310382593.8

本发明公开了一种太阳能电池表面钝化层结构，该结构采用二氧化硅钝化膜与氮化硅钝化膜组成的叠层钝化膜结构，从而克服了氮化硅钝化膜的界面缺陷密度高和硅氢键不稳定的缺点，解决了二氧化硅钝化膜金属离子阻挡能力差，易吸附水气，光的减反效果不好等缺点；并且将二氧化硅钝化膜的厚度优化为10-40纳米，从而在保证光吸收率的基础上极大的增加对硅材料电活性杂质和表面缺陷的钝化效果，使得光生载流子的表面复合速率明显降低，可以使晶体硅的转化效率提高0.3%。同时，还公开了一种太阳能电池表面钝化层结构的制备方法，该方法采用热氧化工艺制备二氧化硅钝化膜，采用PECVD工艺制备氮化硅钝化膜，该方法可与太阳能电池制备工艺兼容。
专利类型：发明
专利号：CN201310382593.8
专利申请日：2013.08.28
公开（公告）日：2013.11.27
申请（专利权）人：中电投西安太阳能电力有限公司
发明（设计）人：董鹏;屈小勇;张治;王涛
国别省市：陕西;61