一种具有横向输运特性的纳米线晶硅太阳电池的制备方法 CN201410125960.0
本发明公开了一种具有横向传输特性的纳米线晶硅太阳电池的制备方法，利用原子层沉积技术结合化学溶液的方法，在硅纳米线阵列间隙之间填充ZnO纳米棒，在不影响硅纳米线超低反射的情况下，能够增强硅纳米线的横向导通，有助于光生载流子的横向传输和电极对光生载流子的收集，提高纳米线晶硅太阳电池的电池转换效率，降低太阳能电池的生产成本。本发明采用的原料充足，成本较低，工艺简单，有利于规模化生产。
专利类型：发明
专利号：
201410125960.0专利申请日：
2014.03.31公开（公告）日：
2014.06.18申请（专利权）人：
陕西师范大学发明（设计）人：
高斐;杨勇洲;贾锐国别省市：
陕西;61
