改善HIT太阳能电池性能的微纳结构及制备方法 CN201410785507.2

一种改善HTT太阳能电池性能的微纳结构，包括：一衬底；一倒金字塔结构，该倒金字塔结构是在衬底正面腐蚀形成的；一纳米线结构，该纳米线结构是在倒金字塔结构上腐蚀形成的；一绝缘层，该绝缘层制作在倒金字塔结构上，并覆盖纳米线结构；一本征非晶硅层，其制作在衬底的背面；一掺杂非晶硅层，其制作在本征非晶硅层上；多个电极层，其制作在掺杂非晶硅层上。本发明可以减少光的反射，从而改善光吸收，提高转化效率，适用于制备高效的HIT太阳能电池。
专利类型：发明
专利号：201410785507.2
专利申请日：2014.12.17
公开（公告）日：2015.04.01
申请（专利权）人：china科学院半导体研究所
发明（设计）人：袁国栋; 吴瑞伟; 李晋闽; 王军喜
国别省市：北京;11