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一种新型结构太阳电池及其制作方法 CN201410447706.2
本发明公开了一种新型结构太阳电池及其制作方法，包括正面导电电极、减反射膜层、n++发射极、p硅基底、p+背面电场、背场和背面电极，在所述减反射膜层上设有透明导电膜层。其步骤如下：选取p型晶体硅片，进行表面织构化；进行磷轻扩散形成n+层；进行背面刻蚀，并去除硅片上的磷硅玻璃；在n+层上沉积减反射膜；在减反射膜上进行局部开膜；在已开膜的减反射膜上制备透明导电膜层；在背面印刷背面电极和背面场；经烧结形成背面金属与硅片之间的欧姆接触；在透明导电膜层上制备导电电极，完成太阳电池的制备。本发明在减反射层上叠加了透明导电膜层，能使复合膜层的减反射效果更佳，提升太阳电池的短路电流，提高电池效率。 专利类型：发明 专利号：201410447706.2 专利申请日：2014.09.04 公开（公告）日：2015.02.25 申请（专利权）人：浙江晶科能源有限公司; 晶科能源有限公司 发明（设计）人：金井升; 蒋方丹; 金浩; 郭俊华; 陈康平 国别省市：浙江;33
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