大面积薄膜太阳能电池的制法 CN201610348034.9

一种大面积薄膜太阳能电池的制法，实质上是由以下步骤所构成：(a)在一表面的上方形成有一第一电极单元的基板上形成一多层膜；(b)在一含有一惰性气体及一硒源的退火环境内对该多层膜施予硒化处理，以令该多层膜形成一具有黄铜矿晶相的吸收层；(c)于该吸收层上形成一第一缓冲层；(d)于该第一缓冲层上形成一第二缓冲层；(e)于该第二缓冲层上形成一透明导电层；及(f)于该透明导电层上形成一第二电极单元。该步骤(a)包括以下次步骤：(a1)于该第一电极单元上溅镀一含有Cu、Ga及KF的第一复合膜体，及(a2)在该含有Cu、Ga及KF的第一复合膜体上溅镀一In膜体，借此，简化制程，且所需耗费的时间成本少。
专利类型：发明
专利号：201610348034.9
专利申请日：2016.05.23
公开（公告）日：2017.10.31
申请（专利权）人：赖志煌;
发明（设计）人：赖志煌; 蔡忠浩;
国别省市：china台湾;71