一种硅太阳能电池及其制备方法 CN201410495820.2

本发明提供一种光电转换效率较高的硅太阳能电池及其制备方法。该硅太阳能电池，包括硅太阳能电池片，所述硅太阳能电池片的正面铺设有多条平行设置的金属纳米栅线，在硅太阳能电池片的正面设置有用于汇集金属纳米栅线电流的金属电极母线，所述金属电极母线沿与金属纳米栅线垂直的方向设置。位于硅片表面的金属纳米栅线可以被近似看作入射光的汇聚天线，它们将入射的光能量存储在栅线表面的等离子体激元中，硅片材料吸收激元能量从而激发光生载流子，从而在不影响太阳能电池迎光面对入射光吸收的情况下增大入射光的利用率，提高太阳能电池的光吸收效率，光电转换效率较高。适合在太阳能电池技术领域推广应用。
专利类型：发明
专利号：201410495820.2
专利申请日：2014.09.24
公开（公告）日：2014.12.10
申请（专利权）人：电子科技大学
发明（设计）人：张博;谢文旭;刘帅;向勇
国别省市：四川;51