一种改良的晶体硅太阳电池背面结构制备方法 CN201410295737.0

本发明公开了一种改良的晶体硅太阳电池背面结构制备方法，运用PVD（物理气相沉积）金属化技术，在晶体硅太阳电池背面形成Al层、Ni:Si层和Ag层叠层结构，具体步骤如下：(1)真空热蒸发沉积Al层；(2)真空溅射沉积Ni:Si层；(3)真空溅射沉积Ag层。本发明能够同时解决表面平整度、易氧化和Al耗量高的问题，并能够保证可焊性，尤其适用于无Pb焊带的应用，更环保。
专利类型：发明
专利号：201410295737.0
专利申请日：2014.06.27
公开（公告）日：2014.11.26
申请（专利权）人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
发明（设计）人：苗丽燕;蒋方丹;金浩;郭俊华;陈康平
国别省市：浙江;33