一种选择性发射极电池的制作方法 CN201110460012.9

本发明公开了一种选择性发射极电池的制作方法，包括步骤：1)去除硅片的损伤层，在硅片的表面制备绒面；2)对损伤层去除且绒面制备完成的硅片进行喷涂磷源及激光掺杂；3)对经过喷涂磷源及激光掺杂的硅片进行高温链式扩散，得到正面正电极区以外区域的p-n结；4)去除经过高温链式扩散的硅片表面的PSG及周边的p-n结；5)在经过去除表面PSG及周边p-n结的硅片表面沉积一层起减反射和钝化作用的氮化硅膜；6)在具有氮化硅膜的硅片上印刷背电极，背电场和正电极，并进行烧结，使电极金属化，得到选择性发射极电池；7)测试选择性发射极电池的各项参数，并按工艺标准将其分档。本方法，有效提高太阳能电池的转换效率，并能方便应用于生产中。
专利类型：发明
专利号：201110460012.9
专利申请日：2011.12.31
公开（公告）日：2013.10.23
申请（专利权）人：英利能源（china）有限公司
发明（设计）人：史金超;宋伟鹏;杨伟光;张东升;解占壹;马红娜
国别省市：河北;13