Si衬底三结级联太阳电池及其制作方法 CN201310210307.X
本发明涉及光伏技术领域，尤其是指一种Si衬底三结级联太阳电池，包括按照远离Si衬底10的方向依次在Si衬底上生长的第一过渡层、GeSi底电池、第二过渡层、第一隧道结、GaAs中间电池、第二隧道结、GaInP顶电池、GaAs接触层。本发明采用Si衬底制作的三结级联太阳能电池，实现带隙能量分别为1.89eV/1.42eV/1.0eV，获得高电压、低电流输出，从而有效降低超高倍聚光太阳电池中的电阻损失，实现较高的光电转换效率。
专利类型：发明
专利号：
201310210307.X专利申请日：
2013.05.30公开（公告）日：
2013.09.18申请（专利权）人：
china科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所发明（设计）人：
赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉国别省市：
江苏;32
