一种背发射极异质结太阳电池及制备方法 CN201410677687.2

本发明公开了一种背发射极异质结太阳电池，包括选用厚度为180～220μm的单晶硅片作为衬底的基片层，所述基体层背面从内到外依次具有厚度为3～8nm的非晶硅薄膜本征层，厚度为100～140nm的导电介质层以及银浆层，基片层的正面从内到外依次具有厚度为3～8nm的非晶硅薄膜本征层、厚度为5～15nm重掺杂层、厚度为80～120nm的导电薄膜层以及金属电极。相应的，本发明还公开了一种背发射极异质结太阳电池的制造方法。本发明采用在太阳电池背面制备发射极，正面通过重掺杂层结构接受光照，从而避免了发射极对光的直接吸收，可以适当增加发射极的厚度，有助于增加电池内建势，提高电池的开路电压，有效改善电池的整体性能。
专利类型：发明
专利号：201410677687.2
专利申请日：2014.11.21
公开（公告）日：2015.03.25
申请（专利权）人：广西智通节能环保科技有限公司
发明（设计）人：黄继昌; 黄漫卿; 何卫华
国别省市：广西;45