太阳能电池及其制造方法 CN201180026017.9

本发明涉及一种太阳能电池及其制造方法。尤其是，基于CIGS的太阳能电池被广泛应用，其中，基于CIGS的太阳能电池是一个PN异质结装置，该装置具有一个包含玻璃支撑基板的支撑基板结构、金属背电极层、P型基于CIGS的光吸收层、缓冲层、N型透明电极层。如果支撑基板100包含钠钙玻璃，当制造太阳能电池时钠钙玻璃中的Na会扩散到包含CIGS的光吸收层300中。就大面积太阳能电池而言，支撑基板100上生长的背电极层200可以包含多个密度不同的层。在包含构成光吸收层300的CIGS化合物的太阳能电池中， PN结形成在含P型半导体的CIGS化合物薄膜和含N型半导体的窗口层600之间。
专利类型：发明
专利号：201180026017.9
专利申请日：2011.10.06
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.2.6
分类号：
申请（专利权）人：LG伊诺特有限公司
发明（设计）人：裵道园;刘永三
国别省市：韩国;KR