一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层的制备方法 CN201410192004.4

本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层的制备方法。本发明将硫化锌粉末在15MPa下保持10s压实成薄圆柱形片，直径1.3cm，厚度2mm，然后在氮气保护下800oC或1000oC度烧结，待温度降为室温取出，放入电子束蒸发镀膜系统所带的铜坩埚内，以充满铜坩埚的三分之二为宜，在普通玻璃衬底上进行电子束蒸发镀膜，制备ZnS薄膜，通过改变适当的电子束流、束流扫描范围、蒸发高压、蒸发压强、蒸发时间、基板温度以及后退火处理温度等条件制备了具有纤锌矿结构的多晶ZnS缓冲层薄膜，该薄膜具有宽的光学带隙、可见光区透射率高、表面平整度高、颗粒粒径小的特点，适合作为铜铟镓硒薄膜太阳能电池的无镉缓冲层薄膜。
专利类型：发明
专利号：201410192004.4
专利申请日：2014.05.07
公开（公告）日：2014.08.06
申请（专利权）人：杭州电子科技大学
发明（设计）人：黄延伟;肖乐凡
国别省市：浙江;33