MoS2带孔纳米片/石墨烯电化学贮锂复合电极及制备方法 CN201410339880.5

本发明公开了一种WS2带孔纳米片/石墨烯复合纳米材料及其制备方法，其由WS2带孔纳米片与石墨烯复合构成，WS2带孔纳米片是单层或少层数的，WS2与石墨烯之间的物质的量之比为1:1-1:3。其制备方法是首先将氧化石墨烯超声分散在去离子水中，再加入阳离子型柱[5]芳烃超分子，并充分搅拌，然后依次加入L-半胱氨酸和硫代钨酸铵，充分搅拌使其溶解，将上述混合分散体系转移到水热反应釜中，于230-250℃下水热反应20-24h后，自然冷却至室温，离心收集固体产物，洗涤、干燥、热处理获得。本发明的方法具有简单、方便的特点，不需要消耗有机溶剂。
专利类型：发明
专利号：201410339880.5
专利申请日：2014.07.17
公开（公告）日：2014.10.08
申请（专利权）人：浙江大学
发明（设计）人：陈卫祥;叶剑波;马琳;王臻
国别省市：浙江;33