一种分步加热制备硅基三维纳米结构的方法 CN201210274130.5

本发明涉及一种分步加热制备硅基三维纳米结构的方法，使用两个内径不同的中空石墨坩埚，使得两个坩埚相互嵌套，其中一个石墨坩埚放置硅源，另一个石墨坩埚放置镀铁的硅片作为基底，并将两个坩埚放置在适当位置；迅速将温度升高至950摄氏度，保持温度5分钟后降低感应炉功率，使温度在数秒内下降至850摄氏度左右，继续保持5分钟后关闭电源。在硅片基底上可以得到三维纳米结构，具体为较粗的硅纳米线构成三维结构的骨架，在骨架间隙内填充有极细的硅纳米丝状物。所得材料具有较大的比表面积和牢固的三维骨架，因此在锂电池和高性能传感器中有较好的应用。
专利类型：发明
专利号：201210274130.5
专利申请日：2012.08.02
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.11.28
分类号：
申请（专利权）人：上海交通大学
发明（设计）人：张亚非;钱炳建;李海蓉;苏言杰;魏浩
国别省市：上海;31