太阳能电池单元的制造方法 CN201410164466.5

本发明公开了太阳能电池单元的制造方法。包括：第1工序，在第1导电类型的多晶硅衬底的一面侧通过等离子体CVD法来形成由氮化硅膜构成的钝化膜；第2工序，在所述多晶硅衬底的另一面侧通过热扩散来使第2导电类型的元素扩散，形成扩散层，形成pn结部；第3工序，在所述扩散层上通过等离子体CVD法来形成由氮化硅膜构成的防反射膜；第4工序，在所述多晶硅衬底的另一面侧配置第1电极膏；第5工序，在所述钝化膜上配置第2电极膏；以及第6工序，焙烧所述第1电极膏以及所述第2电极膏来形成电极。
专利类型：发明
专利号：201410164466.5
专利申请日：2008.12.02
公开（公告）日：2014.07.2
申请（专利权）人：三菱电机株式会社
发明（设计）人：西本阳一郎
国别省市：日本;JP