一种AZO/Si异质结太阳电池及其制备方法 CN201410146632.9

本发明公开了一种AZO/Si异质结太阳能电池及其制备方法。本发明的AZO/Si异质结太阳电池从上到下结构依次包括金属栅电极、窗口层、钝化层、晶硅层和金属背电极，其中以高氢掺杂的HAZO薄膜作为钝化层，有效减少了界面处的有效复合中心，从而减小漏电流，提高太阳能电池开路电压，从而提高了太阳能电池的转化效率。本发明的特点是在Si表面直接溅射沉积AZO形成异质结，通过调控溅射气氛中氢气比例，既简单有效地钝化界面缺陷，又提高载流子的迁移能力，从而提高电池的开路电压、短路电流密度以及转化效率。且制备工艺简单，钝化层与窗口层在同一设备中连续沉积完成，无需更换靶材，不增加设备工序，适合大面积工业化生产。
专利类型：发明
专利号：201410146632.9
专利申请日：2014.04.11
公开（公告）日：2014.07.30
申请（专利权）人：china科学院宁波材料技术与工程研究所
发明（设计）人：宋伟杰;蒋迁;王维燕;张贤鹏;黄金华;许炜;曾俞衡
国别省市：浙江;33