一种降低选择性发射极太阳能电池发射极串联电阻的方法 CN201110443880.6

本发明揭示一种降低选择性发射极太阳能电池发射极串联电阻的方法，其中，所述方法包括：使用与太阳能硅片极性相反的掺杂源在太阳能硅片上形成图形；对太阳能硅片执行扩散工艺，同时形成轻掺杂浓度的发射极以及在发射极内部的中等掺杂浓度的半导体沟道。本发明的方法制作太阳能电池的过程中，经过一次扩散工艺同时形成发射极以及位于发射极内的半导体沟道，无需使用其他热处理过程；半导体沟道的制备具有自对准特性，后续工艺无需使用对准技术。中等掺杂浓度半导体沟道在正面栅线电极之间形成电流通道，提高栅线电极的载流子收集能力，大幅降低电池串联电阻，达到改善电池填充因子，短路电流以及电池转换效率的目的。
专利号：201110443880.6
专利申请日：2011.12.27
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.7.3
分类号：
申请（专利权）人：张博;张炯
发明（设计）人：张博;张炯;向勇
国别省市：四川;51