一种提高薄膜太阳能电池效率的制备方法 CN201410076359.7

本发明公开了一种提高薄膜太阳能电池效率的制备方法，用于硅基薄膜电池或铜铟镓硒CIGS电池的制备过程，均包括有在衬底上镀第一加工层、刻划第一沟槽、镀第二加工层、刻划第二沟槽、镀第三加工层和刻划第三沟槽步骤，其特征在于：刻划时使A区的各节平均宽度a大于总平均宽度d，B区的各节平均宽度b小于总平均宽度d，C区的各节平均宽度c等于总平均宽度d。本发明将目前通行的均一刻划方式改为补偿修正刻划的方式，将边缘子电池宽度有选择性地适当加宽，而将电池区域特性好的子电池宽度略微变窄，在不影响电池板整体膜层有效开口宽度的情况下使得电池组件的稳定效率提高1%以上，同时具有适用面广、不增加制造成本和简便易行等优点。
专利类型：发明
专利号：201410076359.7
专利申请日：2014.03.05
公开（公告）日：2014.06.18
申请（专利权）人：广东汉能光伏有限公司
发明（设计）人：汤安东
国别省市：广东;44