背面接触硅太阳能电池方法及含背面接触的硅太阳能电池 CN201210138673.4

本发明提供一种用于背面接触硅太阳能电池的方法以及含此背面接触的硅太阳能电池。该方法包括：当背面接触硅太阳能电池时，铝被沉积在预处理硅太阳能电池本体的背面表面上，其中无铝区域保持在所述背面表面上。接着，适于焊接的无银层被沉积在所述硅太阳能电池本体的所述背面表面上，所述无银层以非接触方式提供给铝，所述适于焊接的所述无银层至少覆盖所述背面表面上的所述无铝区域。
专利类型：发明
专利号：201210138673.4
专利申请日：2012.05.04
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.11.7
分类号：
申请（专利权）人：太阳能界先趋有限公司
发明（设计）人：威蓝·碧斯;哈洛·韩;克利斯汀·史克雷格尔;托尔斯坦·韦柏;马汀·库哲
国别省市：德国;DE