碳纳米管的形成方法及前处理方法 CN201210042950.1

本发明提供一种碳纳米管的形成方法，其以极低的温度形成在被处理体上以近似垂直的状态取向的高密度的碳纳米管。碳纳米管的形成方法具备以下工序：在温度T1下使氧等离子体作用于催化剂金属层，形成表面被氧化的催化剂金属微粒的工序(STEP1)；在比温度T1高的温度T2下使氢等离子体作用于催化剂金属微粒，将催化剂金属微粒的表面还原而进行活化的工序(STEP2)；和在温度T3下利用热CVD法在经活化的催化剂金属微粒上使碳纳米管生长的工序(STEP3)。
专利类型：发明
专利号：201210042950.1
专利申请日：2012.02.23
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.08.29
分类号：
申请（专利权）人：东京毅力科创株式会社
发明（设计）人：松本贵士;秋山长之;小泉建次郎
国别省市：日本;JP