一种铜铟镓硒薄膜预制层及其制备方法 CN201210405315.5

　
本发明公开了一种太阳能电池薄膜预制层及其制备方法。本发明的一种太阳能电池薄膜预制层包括0.03～1.5μm厚的铜层和0.15～3.5μm厚的铜铟镓硒层，所述铜铟镓硒层化学式为CuIn_aGa_bSe_c，其中，a为0.01～5，b为0.01～5，c为0.01～10；并且，铜在铜铟镓硒层中原子比例在15%以下。所述铜铟镓硒薄膜预制层通过以下方法制得：在金属背电极材料上先制备单质铜层，在铜层之上再制备包含铜、铟、镓、硒四种元素的预制层。通过加热退火工艺，使铜铟镓硒层和铜层反应形成符合化学计量比的单一晶相铜铟镓硒薄膜。所得到的铜铟镓硒薄膜质量好，光电转换效率高。
专利号：201210405315.5
专利申请日：2012.10.22
公开（公告）日：2014.05.07
申请（专利权）人：中物院成都科学技术发展中心
发明（设计）人：郭伟民;廖成;黄迎春;曾波明;刘焕明
国别省市：四川;51