采用简化沉积工艺制造的太阳能电池 CN201580051744.9
本发明描述了使用简化的沉积工艺制造太阳能电池的方法和所得的太阳能电池。在一个示例中，制造太阳能电池的方法涉及将模板基板装载到沉积室中，并且在不从所述沉积室移除所述模板基板的情况下执行沉积方法。所述沉积方法涉及在所述模板基板上形成第一硅层，所述第一硅层为第一导电类型。所述沉积方法还涉及在所述第一硅层上形成第二硅层，所述第二硅层为所述第一导电类型。所述沉积方法还涉及在所述第二硅层上方形成第三硅层，所述第三硅层为第二导电类型。所述沉积方法还涉及在所述第三硅层上形成固态掺杂层，所述固态掺杂层为所述第一导电类型。
专利类型：发明
专利号：
201580051744.9
专利申请日：
2015.09.22
公开（公告）日：
2017.08.01
申请（专利权）人：
太阳能公司; 道达尔销售服务公司;
发明（设计）人：
林承笵; 马蒂厄·穆尔斯;
国别省市：
美国;US
