提高太阳电池吸收层铜锌锡硫薄膜结晶性能的制备方法 CN201410294657.3

本发明公开了一种利用三步法提高太阳电池吸收层铜锌锡硫半导体薄膜结晶性能的制备工艺。本方法将高纯度的铜、锌、锡金属分别放在不同的钨舟或钼舟中，通过真空热蒸发的方法得到层状的金属薄膜前驱体，再对层状金属前驱体进行预退火处理，最后在高温下硫化成高结晶度的铜锌锡硫薄膜。本发明可以通过改变前驱体退火温度和退火时间，减少杂质相的产生，提高薄膜的结晶质量，实现高质量铜锌锡硫半导体薄膜的制备。
专利类型：发明
专利号：201410294657.3
专利申请日：2014.06.25
公开（公告）日：2014.09.17
申请（专利权）人：五邑大学
发明（设计）人：范东华;张俊芝;沈振辉;徐帅;许满钦
国别省市：广东;44