一种晶体硅太阳能电池的镀膜工艺 CN201710192931.X
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的镀膜工艺，采用在晶体硅基板表面溅射单层硼铝化合物减反射膜；溅射方法：对晶体硅基板表面进行预清洗；将经过预清洗的晶体硅表面进行刻蚀操作；将经过刻蚀操作的晶体硅转移至磁控溅射室内，作为基材，采用单质铝作为靶材，充入硼氢烷和惰性气体的混合气对基材施加负偏压，进行溅射，得到硼铝化合物减反射膜。本发明镀膜材料新颖，可有效改善晶体硅太阳能电池的光电转换效率。
专利类型：发明
专利号：
201710192931.X
专利申请日：
2017.03.28
公开（公告）日：
2017.07.25
申请（专利权）人：
泉州市中知信息科技有限公司
发明（设计）人：
洪铮铮;
国别省市：
福建;35
