一种多层隧道结的钝化太阳能电池及制备方法 CN201910434847.3

本发明涉及一种多层隧道结的钝化太阳能电池及制备方法，包括N型晶体硅基体，所述N型晶体硅基体的背表面包括依次从内到外的隧道结总层、背钝化减反射薄膜、n+金属电极；所述隧道结总层包括至少两层隧道结层，所述隧道结层包括从内到外设置的氧化层和n+掺杂多晶硅层。本发明使用多层隧道结层结构，满足低金属接触复合、低非金属接触区域复合、低接触电阻率，并由不同的单层隧道结分开满足，不需要考虑三者之间的平衡和制约。
专利类型：发明
专利号：201910434847.3
专利申请日：2019.05.23
公开（公告）日：2019.07.30
申请（专利权）人：泰州中来光电科技有限公司;
发明（设计）人：林建伟; 包杰; 吴伟梁; 陈嘉; 陈程; 刘志锋;
国别省市：江苏;32