太阳能电池的N型晶体硅衬底的清洗处理方法 CN201410019509.0

本发明公开了一种太阳能电池的N型晶体硅衬底的清洗处理方法，该方法的步骤如下：用去离子水冲洗经过制绒处理后的N型晶体硅衬底，然后将其浸渍在浓硫酸和过氧化氢的混合溶液，完成后再用去离子水冲洗衬底；接着将衬底浸泡于含有2%氯化氢和3%氢氟酸的混合溶液中2~3min，之后再用去离子水冲洗干净；接着将衬底浸渍在配比为1：1：6、温度为60℃~80℃的氯化氢：过氧化氢：水的混合液中洗涤10~15min，之后再用去离子水冲洗，然后将衬底表面烘干待用；接着将干燥的衬底进行刻蚀处理，然后再用去离子水冲洗；本发明方法能够提高衬底表面的洁净度，使其平整光滑，从而改善制备的太阳能电池的开路电压、短路电流和填充因子，提升电池光电转换性能。
专利类型：发明
专利号：201410019509.0
专利申请日：2014.01.16
公开（公告）日：2014.04.02
申请（专利权）人：常州天合光能有限公司
发明（设计）人：王栋良;包健;郭万武;陆中丹;罗彬
国别省市：江苏;32