Cu2ZnSnS4/a-Si异质结太阳能电池及其制备方法 CN201110074145.2

本发明一种Cu2ZnSnS4/α-Si异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池器件设计及新材料技术领域。该电池包括2种结构。第一种结构为由p型层、i型层和n型层构成异质p-i-n结，其中p型层为CZTS，其特征在于：i型层和n型层都为α-Si，n型层上还沉积有透明导电电极。第二种结构为由p型层和n型层构成异质p-n结，其中p型层为CZTS，其特征在于：n型层为α-Si，n型层上还沉积有透明导电电极。本发明制备的太阳能电池结构新颖且完全无毒廉价，具有广阔的应用前景和很大的商业价值。
专利类型：发明
专利号：201110074145.2
专利申请日：2011.03.25
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.05.08
分类号：
申请（专利权）人：南京航空航天大学
发明（设计）人：沈鸿烈;江丰;王威;张磊
国别省市：江苏;32