一种Ni掺杂晶硅中间带材料及其制备方法 CN201310726455.7
本一种Ni掺杂晶硅中间带材料及其制备方法，涉及晶体硅。所述Ni掺杂晶硅中间带材料的载体为晶体硅，在晶体硅中掺杂Ni杂质，Ni元素在晶体硅中的浓度大于5.9×1019cm-3，掺杂Ni杂质形成杂质中间带。使用磁控溅射法或蒸发镀膜法在硅片表面制备一层Ni薄膜；使用一维线型连续激光对Ni薄膜进行激光辐照；用氢氟酸溶液对激光辐照后的硅片进行腐蚀后，得Ni掺杂晶硅中间带材料。Ni掺杂晶硅中间带材料能明显提高红外光谱的吸收，提高少子寿命，使用该材料制备的中间带电池能明显提高太阳能电池对红外部分太阳光的利用率，减少电池的发热，提高电池效率，成本低，制作快速简便。
专利类型：发明
专利号：
201310726455.7专利申请日：
2013.12.25公开（公告）日：
2014.03.26申请（专利权）人：
厦门大学发明（设计）人：
陈朝;陈蓉;范宝殿国别省市：
福建;35
购买
|
最新价格,全套专利技术资料仅需260元至8980元,具体联系我们! |
| |
| 联系电话：0575-86879949
手机：13967599949
QQ:12234598 有需要联系我们,谢谢! |
| 每项专利技术资料均为国家正式专利全文说明书。含技术配方、加工工艺、方法、权利要求书、说明书或附图等。 |
技术介绍
加盟代理
购买方式 |
