一种制备硅基纳米结构高效太阳电池的方法 CN201310123498.6

　
本发明公开了一种制备硅基纳米结构高效太阳电池的方法，包括：对硅片进行清洗；在硅片背面上生长单层氮化硅薄膜；采用湿法腐蚀在硅片正面形成纳米超小绒面结构；浓酸加热处理硅片，去除剩余的金属；使用激光烧蚀的方法在硅绒面上刻蚀出电极图形；使用碱溶液处理硅片，去除硅片表面损伤；对硅片进行清洗；热扩散制备PN结；使用氢氟酸去除PSG；在硅片正面生长氮化硅钝化层；丝网印刷铝背场，二次对准丝印前电极；烧结完成电池制备。这种电池具有超低的发射率和高效陷光能力、能够有效降低载流子的表面复合同时具有良好的电极接触，可以有效提高电池的效率。
专利号：201310123498.6
专利申请日：2013.04.10
公开（公告）日：2013.08.07
申请（专利权）人：china科学院微电子研究所
发明（设计）人：贾锐;张悦;窦丙飞;陈晨;金智;刘新宇
国别省市：北京;11