一种太阳能单晶硅测试样片的制作方法 CN201310172269.3
本发明公开了一种太阳能单晶硅测试样片的制作方法，包括以下步骤：①取样：在单晶硅棒头部和尾部各切割出厚度为1~5mm的样片；②物理抛光：在样片表面规定的位置上，用抛光轮进行物理打磨抛光，直至样片表面无明显刀痕成镜面为止；③测试：在抛光后的样片中心处选取第一测试点进行测试。本发明有如下优点：①该方法采用物理抛光能够减少生产过程中造成的环境污染、节省人力和时间，提高工作效率；②不使用氢氟酸与硝酸混合溶液进行抛光样片，减少生产成本，增加企业经济效益。
专利类型：发明
专利号：
201310172269.3专利申请日：
2013.05.10公开（公告）日：
2014.11.12申请（专利权）人：
河南协鑫光伏科技有限公司发明（设计）人：
林会社国别省市：
河南;41
