纳米级磷酸铁锂电极材料制备方法 CN201310559124.9

本发明涉及充电电池领域，尤其涉及一种磷酸铁锂制备方法。一种纳米级磷酸铁锂电极材料制备方法，包括以下步骤，以铝箔为基片，采用磁控溅射将磷酸铁锂沉积到铝箔上，磁控溅射的靶材中磷酸铁锂的质量占靶材总质量的85%以上，靶材余量为掺杂金属和/或导电剂；磁控溅射前先消除铝箔上的静电，磁控溅射时采用直流/射频电源，工艺气体采用氩气，真空室气压5*10-3pa，沉积时使铝箔的温度保持在50℃～80℃。本发明纳米级磷酸铁锂电极材料制备方法利用磁控溅射的方法在铝箔基片上直接沉积磷酸铁锂做成电池正极，这种直接沉积出的磷酸铁锂为纳米级颗粒，实验表明具有特殊的优异性能，大大提高了电池的容积和寿命，能为电动汽车的普及做出突出的贡献。
专利类型：发明
专利号：201310559124.9
专利申请日：2013.11.12
公开（公告）日：2014.02.12
申请（专利权）人：上海冠旗电子新材料股份有限公司
发明（设计）人：林峰;徐浩;林楚越
国别省市：上海;31