背钝化的IBC太阳能电池结构及其制备方法 CN201210559845.5

本发明涉及IBC太阳能电池技术领域，特别是一种背钝化的IBC太阳能电池结构及其制备方法。该电池的硅片的背面具有n+重掺杂层、p+重掺杂层，在n+、p+重掺杂层上具有n+、p+区钝化膜，n+区钝化膜为带固定正电荷的单层钝化膜或者最内层薄膜带固定正电荷的叠层钝化膜；p+区钝化膜为带固定负电荷的单层钝化膜或者最内层薄膜带固定负电荷的叠层钝化膜。其制备方法是：首先在硅片的背面制作n+、p+重掺杂层；然后分别利用两块具有镂空的掩膜板在n+重掺杂层和p+重掺杂层上沉积n+区钝化层和p+区钝化层。电池背面因n+、p+区钝化膜所带的不同固定电荷分别在n+、p+重掺杂层感应出感应电荷，该种电荷感应使电池表面形成场效应钝化，提高了电池背面的钝化效果。
专利类型：发明
专利号：201210559845.5
专利申请日：2012.12.21
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.04.10
分类号：
申请（专利权）人：常州天合光能有限公司
发明（设计）人：柳伟
国别省市：江苏;32