一种薄膜光能电池及其制备方法 CN201210201719.2

本发明公开了一种薄膜光能电池，包括：硅薄膜光能电池板、表面等离子激元膜、定向碳纳米管薄膜；所述硅薄膜光能电池板位于最底层，所述定向碳纳米管薄膜位于最顶层，所述表面等离子激元膜处于硅薄膜光能电池板和定向碳纳米管薄膜之间；所述定向碳纳米管薄膜，包括垂直生长的碳纳米管，用于吸收全部入射光，使入射光到达表面等离子激元膜；所述表面等离子激元膜，用于结合定向碳纳米管薄膜和硅薄膜光能电池板。本发明还同时公开了一种薄膜光能电池的制备方法。采用本发明，能减少由于光照角度变化而引起的光反射，进而减少光能损耗，提高光电转换效率。
专利类型：发明
专利号：201210201719.2
专利申请日：2012.06.18
公开（公告）日：2014.01.15
申请（专利权）人：中兴通讯股份有限公司
发明（设计）人：孙玮
国别省市：广东;44