一种晶硅太阳能电池表面钝化层仿生制备方法 CN201210311058.9

一种晶硅太阳能电池表面钝化层仿生制备方法，其步骤包括先将硅片进行预处理；再向六氟硅酸溶液分别加入二氧化硅粉末、去离子水和硼酸粉末，制备二氧化硅沉积溶液；然后将预处理后的硅片浸没入配制的二氧化硅沉积溶液中，保持溶液温度20～80℃，光照0.5～6小时，光照强度为0.5～3个太阳，在所述硅片表面沉积生成一层二氧化硅薄膜。本发明的有益效果：较好地钝化了硅片表面的悬挂键，有效地提高了晶硅太阳能电池的少子寿命和开路电压，提高了晶硅太阳能电池的光电转换效率，降低晶硅太阳能电池生产成本。
专利类型：发明
专利号：201210311058.9
专利申请日：2012.08.28
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.11.28
分类号：
申请（专利权）人：夏洋
发明（设计）人：夏洋
国别省市：北京;11