PECVD法制备双面异质结太阳能电池的团簇式设备和工艺 CN201110335191.3

一种PECVD法制备双面异质结太阳能电池的团簇式设备，包括沉积腔室，该沉积腔室包括团簇式设置的进出片室、预热和中央传送室、本征层沉积室、p型沉积室和n型沉积室。一种PECVD法制备双面异质结太阳能电池的工艺，采用PECVD法制备双面异质结太阳能电池的团簇式设备实施，能在同一腔室中完成对硅片的正、反两面的本征层沉积。本发明PECVD法制备双面异质结太阳能电池的团簇式设备和工艺既能够省去硅片翻转的工序，节省设备制造成本和生产时间，又能够很好的实现硅片正反两面的沉积。
专利类型：发明
专利号：201110335191.3
专利申请日：2011.10.28
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.05.08
分类号：
申请（专利权）人：上海太阳能工程技术研究中心有限公司
发明（设计）人：郭群超;王凌云;柳琴;张愿成;张滢清;李红波
国别省市：上海;31