太阳能电池的制法及通过其得到的太阳能电池 CN201280021403.3

将含有聚乙烯醇系树脂和掺杂化合物的掺杂物扩散用水系涂布液通过丝网印刷部分涂布于半导体基板(1)的一个面后，进行热处理，在上述基板(1)的一个面上，将进行了上述涂布的半导体基板(1)的表层部分作为掺杂物高浓度扩散部(11a)，将未进行上述涂布的半导体基板(1)的表层部分作为掺杂物低浓度扩散部(11b)，在半导体基板(1)上形成由上述掺杂物高浓度扩散部(11a)及掺杂物低浓度扩散部(11b)构成的选择性发射极层(11)。通过该工序，能够高效地制造光电转换效率高的高性能太阳能电池。
专利类型：发明
专利号：201280021403.3
专利申请日：2012.08.09
公开（公告）日：2014.01.08
申请（专利权）人：日本合成化学工业株式会社
发明（设计）人：胜间胜彦;佐藤弘章;加藤邦泰;堤由佳
国别省市：日本;JP