III-V族半导体直流变压器及其形成方法 CN201210123673.7

　
本发明提出一种III-V族半导体直流变压器及其形成方法，其中III-V族半导体直流变压器包括：隔离层，隔离层为透明绝缘介质；形成在隔离层一侧的多个III-V族半导体发光二极管，多个III-V族半导体发光二极管中的至少一部分相互串联；形成在隔离层一侧的多个III-V族半导体光电池，多个III-V族半导体光电池中的至少一部分相互串联，其中，III-V族半导体发光二极管与III-V族半导体光电池的工作光线匹配，且隔离层对工作光线透明，III-V族半导体发光二极管的数目与III-V族半导体光电池的数目不同以实现直流变压。根据本发明的III-V族半导体直流变压器具有耐高压、无电磁辐射、无线圈结构、安全可靠、传输效率高等优点。
专利号：201210123673.7
专利申请日：2012.04.24
公开（公告）日：2013.10.30
申请（专利权）人：郭磊;赵东晶
发明（设计）人：郭磊;赵东晶
国别省市：北京;11