晶体硅太阳能电池纳米透明埋栅电极的制备方法 CN201210439754.8

本发明涉及晶体硅太阳能电池纳米透明埋栅电极的制备方法。制作电极样品：用银墨溶液滴加到具有金字塔绒面结构的硅片表面，并对硅片施加水平方向的振动，使整个硅片的表面形成均匀分布纳米银颗粒团聚体结构；烧结电极样品：用微波辐射加热电极样品使纳米银颗粒相互熔合形成相互连接的金属纳米线/棒网络结构；金属辅助化学刻蚀电极样品：在氢氟酸，双氧水和乙醇的混合溶液中对烧结后的样品做金属辅助刻蚀处理，使金属纳米线/棒网络电极嵌入硅片形成纳米透明埋栅电极。经过金属辅助化学刻蚀后，金属纳米线/棒网络嵌入硅片减反效果明显优化，金属纳米线/棒网络电极与硅片接触电阻明显变小，该电极具有减反层的作用和潜在的优异的载流子收集效率。
专利类型：发明
专利号：201210439754.8
专利申请日：2012.11.06
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.3.20
分类号：
申请（专利权）人：华南师范大学
发明（设计）人：高进伟;裴颗;韩兵;王洋
国别省市：广东;44