多结异质量子点阵列及其制备方法和多结异质量子点太阳能电池及其制备方法

本发明公开了一种多结异质量子点阵列及其制备方法，包括交错排列的硅量子点层和锗量子点层。本发明的多结异质量子点阵列制作工艺简单，能实现工业化生产，有效降低生产成本。本发明还公开了一种利用多结异质量子点阵列制备的多结异质量子点太阳能电池及其制备方法。本发明的多结异质量子点太阳能电池主要以无毒耐用丰富的硅为主要原料和当前硅太阳能生产线为基础。按照本方案执行后，太阳能芯片的转换效率将有突破性的增加，转换效率大于31%，而且能实现生产成本降低到0.5美元/瓦的目标，此电价与电网电价持平。
专利类型：发明
专利号：201210195987.8
专利申请日：2012.06.14
公开（公告）日：2014.01.01
申请（专利权）人：苏州协鑫工业应用研究院有限公司
发明（设计）人：唐晓慧;代冰;朱共山
国别省市：江苏;32