碳纳米管和超材料复合结构的太赫兹吸收层及制备方法 CN201310484486.6

本发明公开了一种碳纳米管和超材料复合结构的太赫兹吸收层及其制备方法，所述太赫兹吸收层从上到下依次为：顶层吸收层、介质层、金属反射层和碳纳米管薄膜层。用碳纳米管薄膜的特殊光学性质和超材料复合结构对太赫兹辐射接近100﹪的吸收率,显著增强了探测单元对太赫兹波段辐射的吸收率，也提高了探测器的太赫兹探测性能。同时，由于碳纳米管本身具有良好的导热性，可以迅速将吸收的热能传递给探测单元,提高探测器的响应速度。
专利类型：发明
专利号：201310484486.6
专利申请日：2013.10.16
公开（公告）日：2014.01.01
申请（专利权）人：电子科技大学
发明（设计）人：黎威志;丁杰;敖天宏;孙斌玮;樊霖;王军
国别省市：四川;51