本发明为太阳能电池硅片表面掺硫方法，解决现有方法制备的太阳能电池载流子寿命低以及近红外波段的光电转化效率低的问题。包括如下步骤：用碱性溶液或反应离子刻蚀法在硅片表面制备对太阳光具有减反射功能的晶体黑硅的微结构，简称黑硅,将硅片放置于含硫气氛中，利用脉冲宽度在1ns—1000ns的脉冲激光，能量密度控制在仅使硅片表面0.5—2µm厚度内的硅材料温度达到熔点以上汽化点以下，对黑硅表面进行扫描，使硅片表面的黑硅层表面形成高浓度硫掺杂的硫硅合金层，掺硫浓度为1019—1021/cm3或硫硅原子比在0.1%—1%。
专利类型：发明
专利号：
201310398256.8专利申请日：
2013.09.05公开（公告）日：
2014.01.01申请（专利权）人：
西南科技大学发明（设计）人：
李晓红;温才;胡思福;唐金龙;杨永佳;李同彩;刘德雄;邱荣国别省市：
四川;51
