铜铟镓硒薄膜太阳能电池大规模生产中的碱金属掺杂方法 CN201210189541.4
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池大规模生产中的碱金属掺杂方法，在玻璃基底、不锈铟基底或柔性基底上沉积Mo金属背电极层；铜铟镓硒光吸收层的制备；对铜铟镓硒光吸收层进行碱金属元素掺杂沉积；对沉积后形成的碱金属薄膜进行热处理，以使碱金属渗入铜铟镓硒晶界，并改善其晶界特性；碱金属残留物清洗；在碱金属残留物清洗后的铜铟镓硒薄膜层上沉积CdS、ZnS或InS缓冲层；沉积高阻i-ZnO层和ZnO:Al窗口层，以形成铜铟镓硒太阳能电池。本发明退火后，碱金属渗入不会影响其晶格生成；碱金属渗透入铜铟镓硒光吸收层后，在提高开路电压的同时，可大幅提高填充因子，并提高电池光电转化效率。
专利类型：发明
专利号：
201210189541.4专利申请日：
2012.06.06公开（公告）日：
2013.12.25申请（专利权）人：
尚越光电科技有限公司发明（设计）人：
任宇航;任宇珂国别省市：
浙江;33
