n型双面太阳电池的制备方法 CN201711050570.1

本发明提供一种n型双面太阳电池的制备方法，对n型硅基底进行去损伤层或织构化处理及清洗处理；在硅基底背面进行发射极的制备；进行绝缘处理；在硅基底正面进行前表面场制备；受光面的钝化及减反射膜制备，以及背面钝化层制备；在正面和背面图形化形成包含导电成分的电极浆料层；进行第一热处理过程；进行第二热处理过程。该方法形成的接触电阻较常规方法更低，表面钝化膜经过第二热处理后也具有更好的钝化性能，工艺流程较为简单。并且发射极置于太阳电池的背面，因此在太阳电池正面的减反射膜的制备时，并不需要太多限制，在背面发射极表面的钝化层设计时，可以不用顾忌光透过率的影响，可以在背面将钝化做到最佳。
专利类型：发明
专利号：201711050570.1
专利申请日：2017.10.31
公开（公告）日：2018.05.15
申请（专利权）人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司;
发明（设计）人：李华; 靳玉鹏;
国别省市：江苏;32