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n型双面太阳电池的制备方法 CN201711050570.1


本发明提供一种n型双面太阳电池的制备方法,对n型硅基底进行去损伤层或织构化处理及清洗处理;在硅基底背面进行发射极的制备;进行绝缘处理;在硅基底正面进行前表面场制备;受光面的钝化及减反射膜制备,以及背面钝化层制备;在正面和背面图形化形成包含导电成分的电极浆料层;进行第一热处理过程;进行第二热处理过程。该方法形成的接触电阻较常规方法更低,表面钝化膜经过第二热处理后也具有更好的钝化性能,工艺流程较为简单。并且发射极置于太阳电池的背面,因此在太阳电池正面的减反射膜的制备时,并不需要太多限制,在背面发射极表面的钝化层设计时,可以不用顾忌光透过率的影响,可以在背面将钝化做到最佳。
专利类型:发明
专利号:201711050570.1
专利申请日:2017.10.31
公开(公告)日:2018.05.15
申请(专利权)人:泰州隆基乐叶光伏科技有限公司;
发明(设计)人:李华; 靳玉鹏;
国别省市:江苏;32


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