硅量子点的光活性层及其制作方法 CN201280014208.8

　
本发明提供了一种用于太阳能电池或发光二极管的光活性层及其制造方法。光活性层通过交替堆叠硅量子点层和导电层形成，在所述硅量子点层中，在硅化合物的介质中形成包含导电型杂质的多个硅量子点，所述导电层是包含与硅量子点的导电型杂质相同导电型杂质的多晶硅层。
专利号：201280014208.8
专利申请日：2012.03.22
公开（公告）日：2013.12.11
申请（专利权）人：韩国标准科学研究院
发明（设计）人：金庆中;洪升辉;朴裁熙;张淙植
国别省市：韩国;KR

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