用Se纳米晶制作CIS吸收层的方法 CN201210346539.3

本发明公开了一种制作成本低廉的用Se纳米晶制作CIS太阳能电池吸收层的方法。该方法包括如下步骤：a、合成CIS纳米晶，合成含Cu和S元素的纳米晶，合成含In和S元素的纳米晶，合成Se纳米晶；b、配置成膜原料；c、热处理制得CIS吸收层，将步骤b制得的成膜原料涂在经过亲水处理的FTO玻璃基片上，低温烘干定型，然后在惰性气体保护下高温热处理使纳米晶重结晶，制得致密的CIS吸收层。本发明在低温下、短时间内合成纳米晶，降低制作成本，同时使用Se纳米晶添加到制膜原料中制膜，无需在Se蒸汽下热处理，极大的降低了对热处理设备的高要求，进一步降低生产成本，本发明方法适于大规模生产CIS吸收层。
专利类型：发明
专利号：201210346539.3
专利申请日：2012.09.18
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.1.16
分类号：
申请（专利权）人：电子科技大学;东莞有机发光显示产业技术研究院
发明（设计）人：陶斯禄;周春;赵伟明;付瑜;蒋一岚
国别省市：四川;51