一种弱光非晶硅太阳能电池芯片制造方法 CN201210165079.4
本发明提供了一种弱光非晶硅太阳能电池芯片制造方法，所述方法包括如下步骤：制作导电玻璃、生成非晶硅层、刻划非晶硅层、镀背电极层、引出电极。本发明的非晶硅太阳能电池芯片的制作方法采用的是掩膜和磁控溅射方法，省去了酸碱腐蚀工艺步骤和丝网印刷步骤，使得背电极附着力更稳定，电性能得以提高，并提高了工作效率和产量、降低生产成品，在同行业也有一定的竞争力。
专利号：
201210165079.4专利申请日：
2012.05.25公开（公告）日：
2013.12.04申请（专利权）人：
浙江慈能光伏科技有限公司发明（设计）人：
邓文忠国别省市：
浙江;33
