一种晶体硅太阳能电池P型硅背面钝化膜及其制备方法 CN201210533406.7

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池P型硅背面钝化膜及其制备方法，所述钝化膜由上下两层SiOxNy薄膜组成，所述第一层SiOxNy薄膜为富氧型SiOxNy薄膜，第二层SiOxNy薄膜为富氮型SiOxNy薄膜。这种晶体硅太阳能电池P型硅背面钝化膜克服了高温氧化对硅片少子寿命的损伤，也避免了SiNx膜中正电荷对背表面钝化的影响，极大的改善电池的开路电压和转换效率，且制备工艺简单，成本低廉，可以极大地降低电池片的处理成本，降低电池生产成本，易于实现大规模产业化应用。
专利类型：发明
专利号：201210533406.7
专利申请日：2012.12.12
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.3.13
分类号：
申请（专利权）人：泰通（泰州）工业有限公司
发明（设计）人：鲁伟明
国别省市：江苏;32